四、载流子的浓度

• 温度越高,载流子浓度越高

1.1.2 杂志半导体

• 半导体具有可掺杂性

概念

• 掺入少量杂质元素

N型半导体（Nactive）

• 掺入磷（为了增加载流子的浓度,因为P是五价元素,会多一个自由电子）
• 多子（左右电子是多数载流子）
• 少子（空穴是少子）
• 温度对多子影响不大,对少子不大（因为自由电子基数大,少子基数小）
• 磷现在是失主原子,带正电

P型半导体

1.1.3

一、PN结的形成

1、扩散运动

N->P N浓度高->P浓度低 N自由电子->P空穴 狼入羊群

2、空间电荷区：耗尽层、阻挡层、PN结。

3、势垒

4、漂移运动

对于多子来说是势垒,对于少子来说是一个坑,少子会直接过去。

5、对称结、不对称结

二、PN结单向导电性

1、外加正向电压

外加电压相当于削去势垒 正向电压 从P到N

2、反向电压

几乎不导电 少子漂移运动加强,但是几乎可以忽略 对温度特别敏感

三、PN结的电流方程

四、PN结的伏安特性

1、正向特性

死区

2、反向特性

3、反向击穿

• 雪崩击穿（掺杂浓度低时）-粒子加速

• 齐纳击穿（掺杂浓度高时）-

  可以做稳压二极管, 温度越高,雪崩击穿所需要的电压越高,温度越高,晶格结构会震动,撞到的几率变高,所以需要更高的电压 温度越高,齐纳击穿所需要的电压越低

电容：在相同的电压变化范围内,电容量不一样代表电荷储存量不一样。

五、PN结的电容效应

1、势垒电容

可以做成可变电容

2、扩散电容

1.2.1 常见结构

所谓的集成,就是在一块基片上造很多PN结

1.2.2 伏安特性

一、伏安特性

1、体电阻存在,相同电压下,电流比PN结小

2、反向电流大一些

二、温度的影响

1、T升,正向左移,反向下移

2、室温,每升高1摄氏度,正向压降2-2.5mV,每升高10摄氏度,反向电流增大一倍（用来做很便宜的温度传感器）

反向击穿,用来做稳压二极管 作用,规定电流的路径,把交流电流变成直流,即二极管的整流作用

疑问？

• 正向电压和反向电压为什么会有他们的特性？
• 齐纳击穿和雪崩击穿的原理分别是什么？他们是什么？
• 伏安特性的详细实用？

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