等离子体破裂是磁约束聚变装置运行过程中面临的最严重挑战之一,它是指高温等离子体在极短时间内失去磁约束的灾难性事件。破裂过程通常分为热猝灭(Thermal Quench, TQ)和电流猝灭 (Current Quench, CQ)两个主要阶段
在托卡马克装置中,热猝灭通常由多种物理机制触发,包括杂质累积导致的辐射冷却、磁流体力学 (MHD)不稳定性增长、以及等离子体 - 壁面相互作用等。一旦热猝灭发生,等离子体的能量约束时间会降低两个数量级以上,等离子体电流也会在随后的电流猝灭阶段快速衰减。
磁诊断:利用电磁感应定律与霍尔效应,通过探测等离子体运动产生的磁场信号反推其宏观状态,可以推出等离子体电流、磁场轮廓、MHD 不稳定性等信息。
SXR:通过测量波长 0.1~10nm 的软 X 射线信号,间接获取电子温度、密度 及杂质分布。
ECE:基于等离子体中相对论性电子的回旋共振辐射机制,直接测量电子温度轮廓与磁场分布。
破裂方式:通过注入杂质气体(氩气)强制引发辐射坍缩破裂,注入持续时间为 40ms,气体量为2 Torr l 。注入后约 60 ms 发生破裂

前兆:随着气体注入和辐射功率增加,旋转的n=1模式会固定(锁模)并在热猝灭开始前2ms增长;n=1锁模的增长破坏了等离子体的磁约束稳定性,为热猝灭的能量快速流失创造了条件。
该锁定模式在能量损失期间(如2.035–2.039s)强度较大,之后减弱以允许再加热发生,在最终热猝灭期间又快速增长并引发电流猝灭。
初始热猝灭:热猝灭始于特定时刻(放电81167中为2.035s),此阶段大部分(约75%)储存能量在5ms内损失。
等离子体位形变化较小:此阶段能量流失主要集中于等离子体内部,未引发磁场拓扑的显著重构
温度变化:热猝灭开始时中心软X射线信号骤降,最后闭合磁通量面内温度下降,冷边缘区域因高辐射变得明显(如2.036s时),2ms后中心温度从初始4keV降至600eV。 安全因子与电流剖面:中心安全因子在热猝灭开始前略高于1,开始后降至1以下,此阶段电流剖面相对无变化。
再加热:初始热猝灭后,中心等离子体会出现再加热,如2.039s时中心开始再加热,2.0424s时中心温度接近1keV,同时内部电感Li增加,导致电流剖面峰值化。
最终热猝灭:再加热后发生更快速的最终热猝灭(放电81167中为2.044s),剩余能量在≤1ms内快速损失;最终热猝灭中期(2.0444s)温度骤降至约300eV,电流猝灭开始后(2.0464s)温度进一步低于100eV。
在接近热猝灭期间中心储存能量最小值且中心再加热开始前(2.0384s),温度随位置大幅变化,表明等离子体可能处于随机状态,此现象在最终热猝灭期间(2.0444s)也有出现但程度较轻。


热猝灭期间密度剖面在边缘形成峰值,中心密度下降近50%,部分抵消边缘密度的增加,且边缘密度在电流猝灭开始时仍保持较高水平。约束减弱,中心离子向边缘扩散,但由于未显著破坏粒子约束(约束边界未破裂),扩散至边缘的粒子在此累积,最终形成 “边缘密度峰值”。
粒子总数在初始热猝灭期间(2.035–2.039s)增加15%,再加热期间减少至初始值的70%,从最终热猝灭到电流猝灭开始又增加至初始值的80%;
热猝灭的两个能量损失阶段(2.0364–2.0384s和2.0444s),SOL层(r/a>1)中温度和密度显著增加,大部分区域密度增加一倍;电流猝灭开始后(2.0464s),温度和密度剖面变宽,分界面外侧形成大范围等离子体区域。
热猝灭四个阶段:
前驱阶段:从初始温度降至 0.6 倍初始温度左右。
冷却流阶段:主要温度下降阶段T2≈0.04T0
过渡阶段:温度小幅波动,无显著冷却 / 加热
碰撞冷却阶段:冷却速率显著放缓

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